MF011000 - SEMI MF110 - Test Method for Thickness of Epitaxial or Diffused Layers in Silicon by the Angle Lapping and Staining Technique Revision:SEMI MF110-1107 (Reapproved 0718) - Superseded XMLメッセージ通信に関する仕様は確立された，公開され照会し得る，XMLメッセージ通信に関する現実的な関係業界スタンダードを複数利用する。SEMIスタンダードへ応用する際，個々の状況でメッセージ通信に直接要求される必要性がある場合にのみ，既存の関係業界スタンダードを拡張するに止めている。本スタンダードは既存のスタンダードの焼き直しや競合する仕様を作り出そうとするものではないが，既存のスタンダードと整合し使用例を引用することは意図している。

XMLメッセージ通信に関する仕様は確立された，公開され照会し得る，XMLメッセージ通信に関する現実的な関係業界スタンダードを複数利用する。SEMIスタンダードへ応用する際，個々の状況でメッセージ通信に直接要求される必要性がある場合にのみ，既存の関係業界スタンダードを拡張するに止めている。本スタンダードは既存のスタンダードの焼き直しや競合する仕様を作り出そうとするものではないが，既存のスタンダードと整合し使用例を引用することは意図している。

SEMI D78-0224 (technical revision)

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SEMI M56-1018 (Reapproved 1023)

MF011000 - SEMI MF110 - Test Method for Thickness of Epitaxial or Diffused Layers in Silicon by the Angle Lapping and Staining Technique Revision:SEMI MF110-1107 (Reapproved 0718) - Superseded XMLメッセージ通信に関する仕様は確立された，公開され照会し得る，XMLメッセージ通信に関する現実的な関係業界スタンダードを複数利用する。SEMIスタンダードへ応用する際，個々の状況でメッセージ通信に直接要求される必要性がある場合にのみ，既存の関係業界スタンダードを拡張するに止めている。本スタンダードは既存のスタンダードの焼き直しや競合する仕様を作り出そうとするものではないが，既存のスタンダードと整合し使用例を引用することは意図している。This Test Method covers a procedure suitable for interlaboratory comparisons of layer thickness. This Test Method is applicable for layers of any resistivity so long as the layer differs from the silicon substrate under it either in conductivity type or by at least one order of magnitude in resistivity. The method described is destructive in nature but is more widely applicable than the alternative infrared method, SEMI MF95. For layers with